山东霍尔德电子科技有限公司
 
 
半导体膜厚测试仪
  • 品牌:霍尔德电子
  • 型号:
  • 货号:HD-FT50UV
  • 发布日期: 2026-03-13
  • 更新日期: 2026-03-13
产品详请
分辨率
重量 5000g
品牌 霍尔德电子
货号 HD-FT50UV
电源电压 220V±20V50HzAC/
型号 HD-FT50UV
测量范围 20nm~50μm
规格
加工定制
外形尺寸 见详情
测量精度 0.05nm

半导体膜厚测试仪是一款精准又好用的薄膜厚度测量设备。它能测低至20纳米的超薄薄膜,测量误差小于1纳米, 每秒可测100次,重复测量精度高达0.05纳米。它采用双光源组合,覆盖紫外到红外全光谱,抗干扰能力强,在振动或复杂环境下也能稳定工作。


半导体膜厚测试仪应用领域

广泛应用于半导体与微电子制造、显示面板、光学器件制造、生物医学、汽车及新材料与新能源研发等领域,能满足从晶圆镀膜、显示面板薄膜到光学元件镀膜、医用植入物涂层、汽车玻璃膜层及新能源薄膜的高精度厚度检测需求,助力各行业提升产品质量与研发效率。


半导体膜厚测试仪测试原理

反射膜厚仪基于白光干涉原理工作,光源发出的宽带光入射至待测薄膜表面后,经薄膜上下表面反射形成的两束反射光会因光程差产生干涉,干涉信号中包含薄膜厚度、光学常数等关键信息,设备通过探头采集干涉后的反射光谱,对特定波段范围内的光谱进行模型拟合后,即可反演解析出薄膜的厚度、光学常数及粗糙度等参数,整个系统由高强度组合光源提供宽光谱入射光,经光学系统传输至样品,反射光返回后由高速光谱模块采集信号,最终通过上位机软件完成数据处理与结果输出。

半导体膜厚测试仪产品特点

1. 精准测量:支持20nm超薄膜厚检测,准确度±1nm、重复精度0.05nm,满足精密检测需求;

2. 高速采样: 采样速度100Hz,适配产线快速检测,提升测量效率;

3. 宽光谱覆盖:采用氘卤组合光源,光谱覆盖紫外至近红外,可解析单层/多层膜厚;

4. 强抗干扰性:高灵敏度元器件搭配抗干扰光学系统+多参数反演算法,复杂环境下测量稳定;

5. 灵活易适配:支持自定义膜结构测量,设备小巧易安装,配套软件及二次开发包,适配实验室/产线多场景。



半导体膜厚测试仪技术参数

型号 HD-FT50UV HD-FT50NIR
建议工作距离 非聚焦光束,安装距离5至10mm 安装侧面出光附加镜时:34.5mm±2mm;
轴向出光时:55mm±2mm;
测量角度 ±10° ±5°
光斑类型 弥散光斑;在10mm安装距离时,光斑直径约为4mm; 聚焦光斑;约200μm
探头外径*长度 Φ6.35*3200mm3 Φ20*73mm
探头重量 190g 108g(探头)、49g(附加镜)
光源类型 氘卤光源 卤素光源
波长范围 190-1100nm 400-1100nm;1000-1700nm
测厚范围 约20nm~50μm(折射率1.5时) 约50nm~50μm(折射率1.5时)
适配探头 UV-VIS VIS-NIR轴向;
VIS-NIR径向;(标配其一)
可连探头数量 1
探头防护等级 IP40
重复精度 0.05nm
准确度 <±1nm或±0.3%(取较大值)
采样频率 Max.100Hz(视求解参数复杂度而定)
测控软件 专用上位机软件
电源电压 220V±20V50HzAC/
功率 50W
工作温度 -10至+40℃
相对湿度 20%至85%RH(无冷凝)
控制器重量 约5000g